商品型号： IPB110P06LM
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO263-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY009555
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 5.55mA 漏源导通电阻：11mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
IPB110P06LM由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB110P06LM价格参考￥5.208200。Infineon(英飞凌)IPB110P06LM封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 5.55mA 漏源导通电阻：11mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：P沟道
手机版：IPB110P06LM
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