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FDBL0260N100

商品型号: FDBL0260N100

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: MO-299A

商品毛重: 0.93g

商品编号: CY840231

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

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总   价: ¥7.26

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

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FDBL0260N100由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDBL0260N100价格参考¥7.261300。ON(安森美)FDBL0260N100封装/规格:MO-299A,连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

手机版:FDBL0260N100