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IRFR210PBF

商品型号: IRFR210PBF

制造厂商: VISHAY(威世)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.53g

商品编号: CY172549

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 200V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

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IRFR210PBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR210PBF价格参考¥6.321600。VISHAY(威世)IRFR210PBF封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

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