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TC6321T-V/9U

商品型号： TC6321T-V/9U

制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)

封装规格： VDFN-8

商品毛重： 1.75g

商品编号： CY994718

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA,2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 1A,10V;8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2A
最大功率耗散（Ta=25°C）	-
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA,2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 1A,10V;8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道

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TC6321T-V/9U由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,TC6321T-V/9U价格参考￥4.249600。MICROCHIP(美国微芯)TC6321T-V/9U封装/规格：VDFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA,2.4V @ 1mA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 1A,10V;8Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道

手机版：TC6321T-V/9U