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NTMFS4955NT1G

商品型号： NTMFS4955NT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SO-8FL

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY705537

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：N沟道

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NTMFS4955NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS4955NT1G价格参考￥1.059200。ON(安森美)NTMFS4955NT1G封装/规格：SO-8FL,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.7A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：920mW 类型：N沟道

手机版：NTMFS4955NT1G