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IMW120R060M1H

商品型号： IMW120R060M1H

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO247-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY130283

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	1200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

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IMW120R060M1H由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IMW120R060M1H价格参考￥9.097000。Infineon(英飞凌)IMW120R060M1H封装/规格：PG-TO247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道

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