商品型号： MTE65N20H8
制造厂商： 3PEAK
封装规格： DFN 5x6
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY585361
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道 200V/24A N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
MTE65N20H8由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTE65N20H8价格参考￥9.316200。3PEAKMTE65N20H8封装/规格：DFN 5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道 200V/24A N沟道
手机版：MTE65N20H8
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