商品型号： 1N60L-TM3-T
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY398159
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,1.2A
数量
价格
1+
￥7.3411
10+
￥7.2574
30+
￥7.1716
100+
￥7.0858
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
1N60L-TM3-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,1N60L-TM3-T价格参考￥7.341100。3PEAK1N60L-TM3-T封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,1.2A
手机版：1N60L-TM3-T
20万现货SKU
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