商品型号： FDD5353
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： D-PAK(TO-252)
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY467391
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12.3mΩ @ 10.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W 类型：N沟道 N沟道,60V,50A,12.3mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A | |
| 类型 | N沟道 |
FDD5353由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDD5353价格参考￥6.036000。ON(安森美)FDD5353封装/规格：D-PAK(TO-252),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：12.3mΩ @ 10.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W 类型：N沟道 N沟道,60V,50A,12.3mΩ@10V
手机版：FDD5353
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