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C3M0065100K

商品型号： C3M0065100K

制造厂商： CREE

封装规格： TO-247-4

商品毛重： 7.40g

商品编号： CY928936

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：3.5V @ 5mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113.5W(Tc) 类型：N沟道碳化硅MOS，高频大功率应用，低损耗

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	1000V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：3.5V @ 5mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113.5W(Tc) 类型：N沟道碳化硅MOS，高频大功率应用，低损耗

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C3M0065100K由CREE设计生产,在芯云购商城现货销售,C3M0065100K价格参考￥7.004800。CREEC3M0065100K封装/规格：TO-247-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1000V 栅源极阈值电压：3.5V @ 5mA 漏源导通电阻：78mΩ @ 20A,15V 最大功率耗散（Ta=25°C）：113.5W(Tc) 类型：N沟道碳化硅MOS，高频大功率应用，低损耗

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