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VSD050P10MS

商品型号: VSD050P10MS

制造厂商: Vanguard(威兆)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.37g

商品编号: CY056468

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 P沟道 -100V -34A

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥5.3328

总   价: ¥5.33

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
最大功率耗散(Ta=25°C) 100W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 P沟道 -100V -34A

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VSD050P10MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VSD050P10MS价格参考¥5.332800。Vanguard(威兆)VSD050P10MS封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):34A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W 类型:P沟道 P沟道 -100V -34A

手机版:VSD050P10MS