商品型号： IRLL3303PBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY001821
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,30V,4.6A,0.031Ω@10V
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1+
￥8.5965
10+
￥8.499
30+
￥8.3992
100+
￥8.2994
500+
￥8.1996
1000+
￥8.0998
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
IRLL3303PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLL3303PBF价格参考￥8.596500。Infineon(英飞凌)IRLL3303PBF封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,30V,4.6A,0.031Ω@10V
手机版：IRLL3303PBF
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