商品型号： IXFH20N85X
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-247-3
商品毛重： 7.87g
商品编号： CY022595
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：850V 栅源极阈值电压：5.5V @ 2.5mA 漏源导通电阻：330mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2625
10+
￥9.2206
30+
￥9.1787
100+
￥9.1368
500+
￥9.0912
1000+
￥9.0456
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
IXFH20N85X由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFH20N85X价格参考￥9.262500。IXYSIXFH20N85X封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：850V 栅源极阈值电压：5.5V @ 2.5mA 漏源导通电阻：330mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：540W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXFH20N85X
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