IPP111N15N3GXKSA1

商品型号： IPP111N15N3GXKSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220-3

商品毛重： 2.75g

商品编号： CY260982

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 160uA 漏源导通电阻：11.1mΩ @ 83A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	150V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 160uA 漏源导通电阻：11.1mΩ @ 83A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W (Tc) 类型：N沟道

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IPP111N15N3GXKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP111N15N3GXKSA1价格参考￥4.449800。Infineon(英飞凌)IPP111N15N3GXKSA1封装/规格：TO-220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：83A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 160uA 漏源导通电阻：11.1mΩ @ 83A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：214W (Tc) 类型：N沟道

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