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IPN80R1K4P7ATMA1

商品型号： IPN80R1K4P7ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT223

商品毛重： 0.18g

商品编号： CY978868

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	800V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

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IPN80R1K4P7ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN80R1K4P7ATMA1价格参考￥9.028400。Infineon(英飞凌)IPN80R1K4P7ATMA1封装/规格：PG-SOT223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：7W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

手机版：IPN80R1K4P7ATMA1