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IPW60R037P7XKSA1

商品型号： IPW60R037P7XKSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-247-3

商品毛重： 7.78g

商品编号： CY179602

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1.48mA 漏源导通电阻：37mΩ @ 29.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1.48mA 漏源导通电阻：37mΩ @ 29.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道

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IPW60R037P7XKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPW60R037P7XKSA1价格参考￥1.031600。Infineon(英飞凌)IPW60R037P7XKSA1封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：76A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 1.48mA 漏源导通电阻：37mΩ @ 29.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPW60R037P7XKSA1