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2N7002BKM,315

商品型号: 2N7002BKM,315

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-883

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY614395

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):450mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 450mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 360mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):450mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

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2N7002BKM,315由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,2N7002BKM,315价格参考¥1.101200。Nexperia(安世)2N7002BKM,315封装/规格:SOT-883,连续漏极电流(Id)(25°C 时):450mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.1V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道

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