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PSMN030-60YS,115

商品型号: PSMN030-60YS,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-669

商品毛重: 0.14g

商品编号: CY911773

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):29A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:24.7mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):29A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:24.7mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道

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PSMN030-60YS,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN030-60YS,115价格参考¥1.257000。Nexperia(安世)PSMN030-60YS,115封装/规格:SOT-669,连续漏极电流(Id)(25°C 时):29A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:24.7mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):56W(Tc) 类型:N沟道

手机版:PSMN030-60YS,115