商品型号： IRLL024NPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY007951
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,55V,3.1A,65mΩ@10V
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价格
1+
￥7.2692
10+
￥7.2255
30+
￥7.1804
100+
￥7.1353
500+
￥7.0902
1000+
￥7.0451
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | N沟道 |
IRLL024NPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLL024NPBF价格参考￥7.269200。Infineon(英飞凌)IRLL024NPBF封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道 N沟道,55V,3.1A,65mΩ@10V
手机版：IRLL024NPBF
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