商品型号: P2003EVG
制造厂商: 3PEAK
封装规格: SOP-8
商品毛重: 0.21g
商品编号: CY178535
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道
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¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 9A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.5W | |
类型 | P沟道 |
P2003EVG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P2003EVG价格参考¥6.235800。3PEAKP2003EVG封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道
手机版:P2003EVG
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