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P2003EVG

商品型号: P2003EVG

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.21g

商品编号: CY178535

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道

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总   价: ¥6.24

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 9A
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道

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P2003EVG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P2003EVG价格参考¥6.235800。3PEAKP2003EVG封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道

手机版:P2003EVG