商品型号： RU1H150R
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 35.00g
商品编号： CY169466
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2983
10+
￥9.249
30+
￥9.1997
100+
￥9.1504
500+
￥9.1011
1000+
￥9.0518
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150A | |
| 类型 | N沟道 |
RU1H150R由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU1H150R价格参考￥9.298300。Ruichips(锐骏半导体)RU1H150R封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：108V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W 类型：N沟道
手机版：RU1H150R
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监