商品型号: WSR80N08
制造厂商: WINSOK微硕
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 3.00g
商品编号: CY085359
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道 N沟道.80V.80A.8.4mΩ
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价格
1+
¥7.0497
10+
¥7.044
30+
¥7.0352
100+
¥7.0264
500+
¥7.0176
1000+
¥7.0088
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 |
WSR80N08由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSR80N08价格参考¥7.049700。WINSOK微硕WSR80N08封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W(Tc) 类型:N沟道 N沟道.80V.80A.8.4mΩ
手机版:WSR80N08
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