商品型号： R6011ENXC7
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 1.72g
商品编号： CY365496
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：390mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道 N沟道,600V,11A,390mΩ@10V
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价格
1+
￥9.2712
10+
￥9.2275
30+
￥9.1838
100+
￥9.1401
500+
￥9.0934
1000+
￥9.0467
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A | |
| 类型 | N沟道 |
R6011ENXC7由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,R6011ENXC7价格参考￥9.271200。ROHM(罗姆)R6011ENXC7封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：390mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道 N沟道,600V,11A,390mΩ@10V
手机版：R6011ENXC7
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