商品型号： VN2410L-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY816014
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：240V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货6556(1000起订)
数 量: X ￥1.3588
总 价: ￥1.36
包 装:「袋 / 1000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥1.3588
10+
￥1.2698
30+
￥1.1808
100+
￥1.0918
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
VN2410L-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,VN2410L-G价格参考￥1.358800。MICROCHIP(美国微芯)VN2410L-G封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：240V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：10Ω @ 100mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：VN2410L-G
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监