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PMV250EPEAR

商品型号: PMV250EPEAR

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT23

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY949716

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1.5A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V

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PMV250EPEAR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV250EPEAR价格参考¥6.178000。Nexperia(安世)PMV250EPEAR封装/规格:SOT23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.5A 漏源电压(Vdss):-40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:240mΩ @ 1.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):480mW 类型:P沟道 MOSFET P-CH 40V

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