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PK664BA

商品型号: PK664BA

制造厂商: 3PEAK

封装规格: DFN5*6

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY132705

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):114A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):59W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥2.42

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):114A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):59W 类型:N沟道

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PK664BA由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PK664BA价格参考¥2.418400。3PEAKPK664BA封装/规格:DFN5*6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):114A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):59W 类型:N沟道

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