商品型号: IXFN360N15T2
制造厂商: IXYS
封装规格: SOT-227
商品毛重: 44.86g
商品编号: CY329237
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):310A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5V @ 8mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1070W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥8.2534
30+
¥8.17
32+
¥8.0866
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 |
IXFN360N15T2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFN360N15T2价格参考¥8.253400。IXYSIXFN360N15T2封装/规格:SOT-227,连续漏极电流(Id)(25°C 时):310A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5V @ 8mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1070W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IXFN360N15T2
20万现货SKU
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