商品型号： TSA65R190S2
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-3P
商品毛重： 6.72g
商品编号： CY920339
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.5442
10+
￥3.4552
30+
￥3.3662
100+
￥3.2772
500+
￥3.1848
1000+
￥3.0924
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
TSA65R190S2由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSA65R190S2价格参考￥3.544200。Truesemi(信安)TSA65R190S2封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TSA65R190S2
20万现货SKU
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