商品型号： DN2450K4-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 1.13g
商品编号： CY702946
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：350mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：10Ω @ 300mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
DN2450K4-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,DN2450K4-G价格参考￥7.158500。MICROCHIP(美国微芯)DN2450K4-G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：350mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：10Ω @ 300mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道
手机版：DN2450K4-G
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