IPS70R1K4P7SAKMA1

商品型号： IPS70R1K4P7SAKMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 1.96g

商品编号： CY583525

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：22.7W 类型：N沟道 N沟道,700V,4A,1.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：22.7W 类型：N沟道 N沟道,700V,4A,1.4Ω@10V

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IPS70R1K4P7SAKMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPS70R1K4P7SAKMA1价格参考￥9.508200。Infineon(英飞凌)IPS70R1K4P7SAKMA1封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：22.7W 类型：N沟道 N沟道,700V,4A,1.4Ω@10V

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