商品型号： NCE65T680K
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.38g
商品编号： CY719386
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
NCE65T680K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE65T680K价格参考￥4.053300。无锡新洁能NCE65T680K封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：680mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
手机版：NCE65T680K
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