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G90N04

商品型号: G90N04

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.41g

商品编号: CY613886

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道 N管,45V,90A,开启1.4V, 5mΩ@10V,5.6mΩ@4.5V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 45V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道 N管,45V,90A,开启1.4V, 5mΩ@10V,5.6mΩ@4.5V

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G90N04由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G90N04价格参考¥7.112500。GOFORD(谷峰)G90N04封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc) 类型:N沟道 N管,45V,90A,开启1.4V, 5mΩ@10V,5.6mΩ@4.5V

手机版:G90N04