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IRFR13N15DTRPBF

商品型号： IRFR13N15DTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： D-pak

商品毛重： 0.40g

商品编号： CY090382

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 8.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	150V
栅源极阈值电压	5.5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 8.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道

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IRFR13N15DTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR13N15DTRPBF价格参考￥9.349600。Infineon(英飞凌)IRFR13N15DTRPBF封装/规格：D-pak,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 8.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道

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