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IPD65R380C6BTMA1

商品型号： IPD65R380C6BTMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY252516

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 320uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 CoolMos 650V Rds:0.38R

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 320uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 CoolMos 650V Rds:0.38R

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IPD65R380C6BTMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD65R380C6BTMA1价格参考￥8.387900。Infineon(英飞凌)IPD65R380C6BTMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 320uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 CoolMos 650V Rds:0.38R

手机版：IPD65R380C6BTMA1