商品型号: NCE40H29D
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: TO-263-2L
商品毛重: 3.50g
商品编号: CY709215
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):290A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W 类型:N沟道 N沟道 40V 290A
数量
价格
1+
¥7.1178
10+
¥7.0992
30+
¥7.0806
100+
¥7.062
500+
¥7.0434
1000+
¥7.0217
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 |
NCE40H29D由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE40H29D价格参考¥7.117800。无锡新洁能NCE40H29D封装/规格:TO-263-2L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):290A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W 类型:N沟道 N沟道 40V 290A
手机版:NCE40H29D
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