商品型号： PMV130ENEAR
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： SOT23
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY549045
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：460mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
PMV130ENEAR由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMV130ENEAR价格参考￥1.198400。Nexperia(安世)PMV130ENEAR封装/规格：SOT23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.1A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：460mW 类型：N沟道
手机版：PMV130ENEAR
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