收藏商品技术手册

NX3020NAKV,115

商品型号： NX3020NAKV,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT666

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY041192

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375mW 类型：双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货7033(4000起订)

数量: X ￥2.2152

总价: ￥2.22

包装:「圆盘 / 4000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥2.2152
10+

￥2.1614
30+

￥2.1076
100+

￥2.0538

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	200mA
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375mW 类型：双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供NX3020NAKV,115引脚图查看，NX3020NAKV,115中文资料pdf下载，NX3020NAKV,115使用说明书查看，NX3020NAKV,115参数pdf下载, NX3020NAKV,115工作原理，NX3020NAKV,115驱动电路图，NX3020NAKV,115数据手册，NX3020NAKV,115如何测量, NX3020NAKV,115接线图查看

NX3020NAKV,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,NX3020NAKV,115价格参考￥2.215200。Nexperia(安世)NX3020NAKV,115封装/规格：SOT666,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375mW 类型：双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

手机版：NX3020NAKV,115