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NX3020NAKV,115

商品型号: NX3020NAKV,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT666

商品毛重: 0.01g

商品编号: CY041192

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375mW 类型:双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 200mA
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375mW 类型:双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

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NX3020NAKV,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,NX3020NAKV,115价格参考¥2.215200。Nexperia(安世)NX3020NAKV,115封装/规格:SOT666,连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375mW 类型:双N沟道 MOSFET 2N-CH 30V

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