商品型号: NTHL065N65S3F
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-247-3LD
商品毛重: 5.04g
商品编号: CY406992
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 4.6mA 漏源导通电阻:65mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):337W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 46A 65mΩ@10V
数量
价格
1+
¥7.212
10+
¥7.178
30+
¥7.144
100+
¥7.108
500+
¥7.072
1000+
¥7.036
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
NTHL065N65S3F由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTHL065N65S3F价格参考¥7.212000。ON(安森美)NTHL065N65S3F封装/规格:TO-247-3LD,连续漏极电流(Id)(25°C 时):46A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 4.6mA 漏源导通电阻:65mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):337W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 650V 46A 65mΩ@10V
手机版:NTHL065N65S3F
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