商品型号： IXFH60N65X2
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-247
商品毛重： 8.00g
商品编号： CY739060
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 4mA 漏源导通电阻：52mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：780W(Tc) 类型：N沟道 N-CH 650V 60A
数量
价格
1+
￥7.2354
10+
￥7.1966
30+
￥7.1578
100+
￥7.119
500+
￥7.0802
1000+
￥7.0414
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
IXFH60N65X2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFH60N65X2价格参考￥7.235400。IXYSIXFH60N65X2封装/规格：TO-247,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 4mA 漏源导通电阻：52mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：780W(Tc) 类型：N沟道 N-CH 650V 60A
手机版：IXFH60N65X2
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