商品型号: NCE40H20AD
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 2.02g
商品编号: CY597368
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):285W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,40V/200A,RDS=2mR;标称24V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。
数量
价格
1+
¥8.2767
10+
¥8.2335
30+
¥8.1868
100+
¥8.1401
500+
¥8.0934
1000+
¥8.0467
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 |
NCE40H20AD由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE40H20AD价格参考¥8.276700。无锡新洁能NCE40H20AD封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):285W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,40V/200A,RDS=2mR;标称24V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。
手机版:NCE40H20AD
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