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UT60N03L-TN3-R

商品型号： UT60N03L-TN3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.46g

商品编号： CY942736

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,30mΩ@4.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,30mΩ@4.5V

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UT60N03L-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT60N03L-TN3-R价格参考￥2.318600。3PEAKUT60N03L-TN3-R封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W 类型：N沟道 N沟道,30V,60A,30mΩ@4.5V

手机版：UT60N03L-TN3-R