商品型号： AONS21357
制造厂商： AOS
封装规格： DFN5x6
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY320973
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
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品牌： ST(意法半导体)
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品牌： ST(意法半导体)
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W | |
| 类型 | P沟道 |
AONS21357由AOS设计生产,在芯云购商城现货销售,AONS21357价格参考￥3.019800。AOSAONS21357封装/规格：DFN5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
手机版：AONS21357
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