商品型号： BF998E6327
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： -
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY547088
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30mA | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 漏源导通电阻 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
BF998E6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BF998E6327价格参考￥3.044400。Infineon(英飞凌)BF998E6327封装/规格：-,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30mA 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：BF998E6327
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