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P9006EVG

商品型号: P9006EVG

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOP-8_150mil

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY689166

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 -60V -4.5A

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总   价: ¥5.06

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 -60V -4.5A

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P9006EVG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P9006EVG价格参考¥5.061900。3PEAKP9006EVG封装/规格:SOP-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 P沟道 -60V -4.5A

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