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RU2020H

商品型号: RU2020H

制造厂商: Ruichips(锐骏半导体)

封装规格: SOP-8_150mil

商品毛重: 0.24g

商品编号: CY632034

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N 沟道,20V,20A,3.5mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N 沟道,20V,20A,3.5mΩ@10V

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RU2020H由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU2020H价格参考¥4.085200。Ruichips(锐骏半导体)RU2020H封装/规格:SOP-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5.2mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N 沟道,20V,20A,3.5mΩ@10V

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