商品型号： CJAE2002
制造厂商： CJ(江苏长电 长晶)
封装规格： DFNWB3x3-8L-J
商品毛重： 0.12g
商品编号： CY552572
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：双N沟道(共漏)
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 18V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 15A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
CJAE2002由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJAE2002价格参考￥4.129000。CJ(江苏长电 长晶)CJAE2002封装/规格：DFNWB3x3-8L-J,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：双N沟道(共漏)
手机版：CJAE2002
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