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L2N7002M3T5G

商品型号： L2N7002M3T5G

制造厂商： LRC(乐山无线电)

封装规格： SOT-723

商品毛重： 0.08g

商品编号： CY670999

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道,60V,115mA,7.5Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道,60V,115mA,7.5Ω@10V

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L2N7002M3T5G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,L2N7002M3T5G价格参考￥8.285600。LRC(乐山无线电)L2N7002M3T5G封装/规格：SOT-723,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道,60V,115mA,7.5Ω@10V

手机版：L2N7002M3T5G