商品型号： G1L9N06
制造厂商： 3PEAK
封装规格： DFN3x3
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY740639
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
G1L9N06由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,G1L9N06价格参考￥3.382800。3PEAKG1L9N06封装/规格：DFN3x3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：18W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G1L9N06
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