8N65KL-TF1-T(8N65KL-MTQ)

商品型号： 8N65KL-TF1-T

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.78g

商品编号： CY093690

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,650V,8A,1.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	8A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,650V,8A,1.4Ω@10V

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8N65KL-TF1-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,8N65KL-TF1-T价格参考￥2.195200。3PEAK8N65KL-TF1-T封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,650V,8A,1.4Ω@10V

手机版：8N65KL-TF1-T