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LSGG08R060W3

商品型号： LSGG08R060W3

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-252

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY276523

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	85V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

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LSGG08R060W3由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSGG08R060W3价格参考￥2.435200。LONTEN(龙腾半导体)LSGG08R060W3封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

手机版：LSGG08R060W3